Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 20.3073 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPT015N10NF2SATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT015N10NF2SATMA1
Opis	MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	8 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-10
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT015N10NF2SATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	StrongIRFET™ 2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	35A (Ta), 315A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,5mOhm przy 150A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 267µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	242 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	11000 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-10
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN