Name: IPT017N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 18.6837 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPT017N10NF2SATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPT017N10NF2SATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPT017N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPT017N10NF2SATMA1
Opis	MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-10
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPT017N10NF2SATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	StrongIRFET™ 2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	33A (Ta), 294A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	1,75mOhm przy 150A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,8V przy 216µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	195 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9300 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-HSOF-8-10
Obudowa / skrzynia	8-PowerSFN
Bazowy numer produktu	IPT017

Cena jednostkowa bez VAT:	15,19000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	18,68370 zł

IPT017N10NF2SATMA1