Name: IPP65R150CFDXKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP65R150CFDXKSA2-ND
Price: 18.7698 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPP65R150CFDXKSA2
Numer produktu DigiKey	448-IPP65R150CFDXKSA2-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPP65R150CFDXKSA2
Opis	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	15 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPP65R150CFDXKSA2 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolMOS™ CFD2
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	22,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	150mOhm przy 9,3A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 900µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2340 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	195,3W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IPP65R150

Cena jednostkowa bez VAT:	15,26000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	18,76980 zł

IPP65R150CFDXKSA2