Name: IPP086N10N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Price: 10.5288 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

IPP086N10N3GXKSA1
Numer produktu DigiKey	448-IPP086N10N3GXKSA1-ND
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPP086N10N3GXKSA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO220-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPP086N10N3GXKSA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	80A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8,6mOhm przy 73A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 75µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3980 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	125W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO220-3
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	IPP086

Cena jednostkowa bez VAT:	8,56000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	10,52880 zł

IPP086N10N3GXKSA1