Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 9.6678 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD60N10S4L12ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD60N10S4L12ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-313
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD60N10S4L12ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 49 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±16V
Seria HEXFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3170 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 94W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 60A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO252-3-313
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 12mOhm przy 60A, 10V	Bazowy numer produktu IPD60N10
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,1V przy 46µA