Name: IPD50N08S413ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50N08S413ATMA1TR-ND
Price: 8.0811 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD50N08S413ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPD50N08S413ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD50N08S413ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD50N08S413ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD50N08S413ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 80 V 50A (Tc) 72W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-313
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD50N08S413ATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 30 nC @ 10 V
Prod. Infineon Technologies	Vgs (maks.) ±20V
Seria OptiMOS™	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1711 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 72W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał N	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 80 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 50A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TO252-3-313
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 13,2mOhm przy 50A, 10V	Bazowy numer produktu IPD50
Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 33µA