Name: IPD60N10S412ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND
Price: 9.2988 PLN
Availability: InStock

IPD60N10S412ATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPD60N10S412ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD60N10S412ATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD60N10S412ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD60N10S412ATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-313
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD60N10S412ATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12,2mOhm przy 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 46µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2470 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	94W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-313
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD60N10

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
2 500	2,14587 zł	5 364,68 zł
5 000	2,00249 zł	10 012,45 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	7,56000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	9,29880 zł

IPD60N10S412ATMA1