Name: IPD50P03P4L11ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD50P03P4L11ATMA2TR-ND
Price: 7.2939 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD50P03P4L11ATMA2
Numer produktu DigiKey	448-IPD50P03P4L11ATMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD50P03P4L11ATMA2CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD50P03P4L11ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD50P03P4L11ATMA2
Opis	MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
Standardowy czas realizacji przez producenta	9 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 50A (Tc) 58W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD50P03P4L11ATMA2 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ P2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10,5mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 85µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+5V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3770 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	58W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-11
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD50