IPD50P03P4L11ATMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPD50P03P4L11ATMA1
Numer produktu DigiKey	IPD50P03P4L11ATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD50P03P4L11ATMA1
Opis	MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 50A (Tc) 58W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3-11
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10,5mOhm przy 50A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 85µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+5V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3770 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	58W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 155°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3-11
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD50

IPD50P03P4L11ATMA1