Name: IPD380P06NMATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD380P06NMATMA1TR-ND
Price: 10.9839 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IPD380P06NMATMA1
Numer produktu DigiKey	448-IPD380P06NMATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPD380P06NMATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPD380P06NMATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPD380P06NMATMA1
Opis	MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 35A (Tc) 125W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPD380P06NMATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	35A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	38mOhm przy 35A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 1,7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2500 pF @ 30 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	125W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	IPD380