IPB45P03P4L11ATMA2 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPB45P03P4L11ATMA2
Numer produktu DigiKey	448-IPB45P03P4L11ATMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB45P03P4L11ATMA2
Opis	MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 45A (Tc) 58W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB45P03P4L11ATMA2 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	45A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	10,8mOhm przy 45A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 85µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+5V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3770 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	58W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB45P

IPB45P03P4L11ATMA2