IPB80P04P4L08ATMA2 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

IPB80P04P4L08ATMA2
Numer produktu DigiKey	448-IPB80P04P4L08ATMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPB80P04P4L08ATMA2CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPB80P04P4L08ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB80P04P4L08ATMA2
Opis	MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 80A (Tc) 75W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ P2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	80A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8,2mOhm przy 80A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 120µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+5V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5430 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	75W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB80P

Cena jednostkowa bez VAT:	9,32000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	11,46360 zł

IPB80P04P4L08ATMA2