Name: IPB120P04P4L03ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB120P04P4L03ATMA2TR-ND
Price: 18.1794 PLN
Availability: InStock

IPB120P04P4L03ATMA2
Numer produktu DigiKey	448-IPB120P04P4L03ATMA2TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IPB120P04P4L03ATMA2CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IPB120P04P4L03ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB120P04P4L03ATMA2
Opis	MOSFET P-CH 40V 120A TO263-3
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 120A (Tc) 136W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-3-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB120P04P4L03ATMA2 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™ P2
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	120A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,4mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,2V przy 340µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	+5V, -16V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	15000 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	136W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-3-2
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	IPB120

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	4,65516 zł	4 655,16 zł
2 000	4,41079 zł	8 821,58 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	14,78000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	18,17940 zł

IPB120P04P4L03ATMA2