Name: IPB025N10N3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB025N10N3GATMA1TR-ND
Price: 32.0784 PLN
Availability: InStock

IPB025N10N3GATMA1
Numer produktu DigiKey	IPB025N10N3GATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) IPB025N10N3GATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) IPB025N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IPB025N10N3GATMA1
Opis	MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 180A (Tc) 300W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TO263-7
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IPB025N10N3GATMA1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	180A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	2,5mOhm przy 100A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,5V przy 275µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	14800 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TO263-7
Obudowa / skrzynia	TO-263-7, D2PAK (6 odpr. + wypust)
Bazowy numer produktu	IPB025

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1 000	10,01690 zł	10 016,90 zł
2 000	9,82535 zł	19 650,70 zł

Cena jednostkowa bez VAT:	26,08000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	32,07840 zł

IPB025N10N3GATMA1