448~P/PG-TO247-4-17~~4
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
448~P/PG-TO247-4-17~~4
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R034M2HXKSA1

Numer produktu DigiKey
448-IMZC120R034M2HXKSA1-ND
Producent
Numer produktu producenta
IMZC120R034M2HXKSA1
Opis
SICFET N-CH 1200V 55A TO247
Standardowy czas realizacji przez producenta
26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 55A (Tc) 244W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-4-17
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IMZC120R034M2HXKSA1 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
34mOhm przy 20A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5.1V @ 6.4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
45 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1510 pF @ 800 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
244W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO247-4-17
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 425
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
140,96000 zł40,96 zł
3024,52433 zł735,73 zł
12020,92175 zł2 510,61 zł
51020,30475 zł10 355,42 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:40,96000 zł
Cena jednostkowa z VAT:50,38080 zł