Name: NTH4L040N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L040N120M3S-ND
Price: 68.1174 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTH4L040N120M3S
Numer produktu DigiKey	5556-NTH4L040N120M3S-ND
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTH4L040N120M3S
Opis	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Standardowy czas realizacji przez producenta	17 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 1200 V 54A (Tc) 231W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4L
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	onsemi
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	54A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	54mOhm przy 20A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,4V przy 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	75 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1700 pF @ 800 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	231W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-4L
Obudowa / skrzynia	TO-247-4

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 1 517

Zapas fabryczny: 185 400

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	55,38000 zł	55,38 zł
30	33,94167 zł	1 018,25 zł
120	29,25075 zł	3 510,09 zł
510	28,87696 zł	14 727,25 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.