448~P/PG-TO247-4-17~~4
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
448~P/PG-TO247-4-17~~4
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

Numer produktu DigiKey
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Producent
Numer produktu producenta
IMZC120R022M2HXKSA1
Opis
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Standardowy czas realizacji przez producenta
26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-4-17
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IMZC120R022M2HXKSA1 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 18V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
22mOhm przy 32A, 18V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,1V przy 10,1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
71 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2330 pF @ 800 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
329W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO247-4-17
Obudowa / skrzynia
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 45
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
156,36000 zł56,36 zł
3034,69200 zł1 040,76 zł
12030,72817 zł3 687,38 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:56,36000 zł
Cena jednostkowa z VAT:69,32280 zł