Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
IMW65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | IMW65R020M2HXKSA1 |
Opis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 61 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) Otwór przelotowy PG-TO247-3-40 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 15V, 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 18mOhm przy 46,9A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5,6V przy 9,5mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 57 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +23V, -7V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2038 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 273W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PG-TO247-3-40 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 52,02000 zł | 52,02 zł |
| 30 | 31,71467 zł | 951,44 zł |
| 120 | 27,26567 zł | 3 271,88 zł |
| 510 | 26,62388 zł | 13 578,18 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 52,02000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 63,98460 zł |
Polska