Name: IMTA65R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMTA65R040M2HXTMA1TR-ND
Price: 33.6282 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMTA65R040M2HXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-IMTA65R040M2HXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IMTA65R040M2HXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IMTA65R040M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IMTA65R040M2HXTMA1
Opis	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 54A (Tc) 242W (Tc)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IMTA65R040M2HXTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolSiC™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	54A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	15V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	36mOhm przy 22,9A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5,6V przy 4,6mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	28 nC @ 18 V
Vgs (maks.)	+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	997 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	242W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	-
Obudowa dostawcy urządzenia	-
Obudowa / skrzynia	-