Kanał N 650 V 68A (Tc) 312W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IMT65R033M2HXUMA1

Numer produktu DigiKey
448-IMT65R033M2HXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
448-IMT65R033M2HXUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT)
448-IMT65R033M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IMT65R033M2HXUMA1
Opis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardowy czas realizacji przez producenta
61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 68A (Tc) 312W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-HSOF-8-2
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolSiC™
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Taśma cięta (CT)
Digi-Reel®
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
SiCFET (węglik krzemu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
68A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
15V, 20V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
30mOhm przy 27,9A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5,6V przy 5,7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
34 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+23V, -7V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1215 pF @ 400 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
312W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-HSOF-8-2
Obudowa / skrzynia
8-PowerSFN
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 1 125
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®
Ilość Cena jednostkowa Wartość
135,91000 zł35,91 zł
1024,67700 zł246,77 zł
10020,08080 zł2 008,08 zł
* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.
Taśma i szpula (TR)
Ilość Cena jednostkowa Wartość
2 00016,40600 zł32 812,00 zł
Opakowanie standardowe producenta
Cena jednostkowa bez VAT:35,91000 zł
Cena jednostkowa z VAT:44,16930 zł
Mogą Cię również zainteresowaćZobacz wszystko
4 Pozycje
IMT65R026M2HXUMA1

IMT65R026M2HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

41,34000 zł
IMT65R040M2HXUMA1

IMT65R040M2HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

31,14000 zł
IMT65R020M2HXUMA1

IMT65R020M2HXUMA1

SILICON CARBIDE MOSFET

Infineon Technologies

46,41000 zł
IPT60R022S7XTMA1

IPT60R022S7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF

Infineon Technologies

45,86000 zł