Name: GS66508BMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66508BMRXUSA1TR-ND
Price: 93.5046 PLN
Availability: OutOfStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GS66508BMRXUSA1
Numer produktu DigiKey	448-GS66508BMRXUSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-GS66508BMRXUSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-GS66508BMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	GS66508BMRXUSA1
Opis	GS66508B-MR
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 30A (Tc) Montaż powierzchniowy Szczęka

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Ostatnio kupiono
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	63mOhm przy 9A, 6V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,6V przy 7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6.1 nC @ 6 V
Vgs (maks.)	+7V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	242 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	Szczęka
Obudowa / skrzynia	Szczęka