GS66508BTRXUMA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

GS66508BTRXUMA1
Numer produktu DigiKey	448-GS66508BTRXUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	GS66508BTRXUMA1
Opis	GS66508B-TR
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 30A (Tc) Montaż powierzchniowy Szczęka
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	30A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	63mOhm przy 9A, 6V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,6V przy 7mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6.1 nC @ 6 V
Vgs (maks.)	+7V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	242 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	-
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	Szczęka
Obudowa / skrzynia	Szczęka

GS66508BTRXUMA1