GS66508TMRXUSA1 Infineon Technologies | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

GS66508TMRXUSA1 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 63

Cena jednostkowa : 25,71000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GS66508TMRXUSA1
Numer produktu DigiKey	448-GS66508TMRXUSA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-GS66508TMRXUSA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-GS66508TMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	GS66508TMRXUSA1
Opis	GS66508T-MR
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 30A (Tc) Montaż powierzchniowy Szczęka
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 63mOhm przy 9A, 6V
Prod. Infineon Technologies	Vgs(th) (maks.) przy Id 2,6V przy 7mA
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 5.8 nC @ 6 V
Status części Nieaktualne	Vgs (maks.) +7V, -10V
Typ FET Kanał N	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 260 pF @ 400 V
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 30A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia Szczęka
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V	Obudowa / skrzynia Szczęka