Name: BSZ215CHXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSZ215CHXTMA1TR-ND
Price: 8.5116 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSZ215CHXTMA1
Numer produktu DigiKey	448-BSZ215CHXTMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-BSZ215CHXTMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-BSZ215CHXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSZ215CHXTMA1
Opis	MOSFET N/P-CH 20V 5.1A 8TSDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 20V 5,1A, 3,2A 2,5W Montaż powierzchniowy PG-TSDSON-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSZ215CHXTMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET
Producent	Infineon Technologies
Seria	OptiMOS™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Konfiguracja	Kanał N i P uzupełniający
Charakterystyka FET	Bramka poziomu logicznego, sterowanie 2,5V
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5,1A, 3,2A
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	55mOhm przy 5,1A, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,4V przy 110µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	2,8nC przy 4,5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	419pF przy 10V
Moc - maks.	2,5W
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSDSON-8
Bazowy numer produktu	BSZ215