Name: BSC010N04LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010N04LSIATMA1TR-ND
Price: 12.7674 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

BSC010N04LSIATMA1
Numer produktu DigiKey	BSC010N04LSIATMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) BSC010N04LSIATMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) BSC010N04LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	BSC010N04LSIATMA1
Opis	MOSFET N-CH 40V 37A/100A TDSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 40 V 37A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 139W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TDSON-8, FL
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	BSC010N04LSIATMA1 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Prod. Infineon Technologies	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 87 nC @ 10 V
Seria OptiMOS™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6200 pF @ 20 V
Status części Aktywny	Charakterystyka FET Dioda Schottky'ego (korpus)
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta), 139W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 40 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 37A (Ta), 100A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PG-TDSON-8, FL
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,05mOhm przy 50A, 10V	Bazowy numer produktu BSC010