Name: SQJ431AEP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ431AEP-T1_GE3TR-ND
Price: 11.1684 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SQJ431AEP-T1_GE3
Numer produktu DigiKey	SQJ431AEP-T1_GE3TR-ND - Taśma i szpula (TR) SQJ431AEP-T1_GE3CT-ND - Taśma cięta (CT) SQJ431AEP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Vishay Siliconix
Numer produktu producenta	SQJ431AEP-T1_GE3
Opis	MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
Standardowy czas realizacji przez producenta	24 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 200 V 9,4A (Tc) 68W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SQJ431AEP-T1_GE3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 85 nC @ 10 V
Prod. Vishay Siliconix	Vgs (maks.) ±20V
Seria TrenchFET®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3700 pF @ 25 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 68W (Tc)
Status części Aktywny	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Typ FET Kanał P	Klasa Motoryzacja
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Kwalifikacja AEC-Q101
Napięcie dren-źródło (Vdss) 200 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 9,4A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia PowerPAK® SO-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Obudowa / skrzynia PowerPAK® SO-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 305mOhm przy 3,8A, 10V	Bazowy numer produktu SQJ431
Vgs(th) (maks.) przy Id 3,5V przy 250µA