Odpowiednik parametryczny

DMTH8030LPDW-13 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 31-DMTH8030LPDW-13TR-ND - Taśma i szpula (TR) |
Producent | |
Numer produktu producenta | DMTH8030LPDW-13 |
Opis | MOSFET 2N-CH 80V 28.5A PWRDI50 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 12 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | MOSFET - układy 80V 28,5A (Tc) 3,1W (Ta), 41W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerDI5060-8 (typ UXD) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Diodes Incorporated | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) | |
Status części | Aktywny | |
Technologia | MOSFET (tlenek metalu) | |
Konfiguracja | 2 kanały N (podwójne) | |
Charakterystyka FET | - | |
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 80V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | 28,5A (Tc) | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 26mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 2,5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 10,4nC przy 10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 631pF przy 40V | |
Moc - maks. | 3,1W (Ta), 41W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 175°C (TJ) | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | 8-PowerTDFN | |
Obudowa dostawcy urządzenia | PowerDI5060-8 (typ UXD) | |
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 500 | 1,31040 zł | 3 276,00 zł |
| 5 000 | 1,21332 zł | 6 066,60 zł |
| 7 500 | 1,16387 zł | 8 729,02 zł |
| 12 500 | 1,16297 zł | 14 537,12 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 1,31040 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 1,61179 zł |







