Name: DMPH6050SFGQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMPH6050SFGQ-7DITR-ND
Price: 5.4366 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMPH6050SFGQ-7
Numer produktu DigiKey	DMPH6050SFGQ-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMPH6050SFGQ-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMPH6050SFGQ-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMPH6050SFGQ-7
Opis	MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 6,1A (Ta), 18A (Tc) 1,2W (Ta) Montaż powierzchniowy POWERDI3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMPH6050SFGQ-7 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 24.1 nC @ 10 V
Prod. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1293 pF @ 30 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,2W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,1A (Ta), 18A (Tc)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia POWERDI3333-8
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 50mOhm przy 7A, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA	Bazowy numer produktu DMPH6050

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 650

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)