Name: NTTFS5116PLTWG
Brand: onsemi
SKU: NTTFS5116PLTWGOSTR-ND
Price: 5.8302 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

NTTFS5116PLTWG
Numer produktu DigiKey	NTTFS5116PLTWGOSTR-ND - Taśma i szpula (TR) NTTFS5116PLTWGOSCT-ND - Taśma cięta (CT) NTTFS5116PLTWGOSDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	NTTFS5116PLTWG
Opis	MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 5,7A (Ta) 3,2W (Ta), 40W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-WDFN (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	NTTFS5116PLTWG Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 25 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±20V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1258 pF @ 30 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 3,2W (Ta), 40W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5,7A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia 8-WDFN (3,3x3,3)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa / skrzynia 8-PowerWDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 52mOhm przy 6A, 10V	Bazowy numer produktu NTTFS5