Name: DMP2008UFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP2008UFG-7DITR-ND
Price: 4.7232 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMP2008UFG-7
Numer produktu DigiKey	DMP2008UFG-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMP2008UFG-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMP2008UFG-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP2008UFG-7
Opis	MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 14A (Ta), 54A (Tc) 2,4W (Ta), 41W (Tc) Montaż powierzchniowy POWERDI3333-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMP2008UFG-7 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA
Prod. Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 72 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±8V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 6909 pF @ 10 V
Typ FET Kanał P	Straty mocy (maks.) 2,4W (Ta), 41W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 14A (Ta), 54A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia POWERDI3333-8
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 8mOhm przy 12A, 4,5V	Bazowy numer produktu DMP2008