Name: DMP4010SK3Q-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP4010SK3Q-13DITR-ND
Price: 6.7527 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMP4010SK3Q-13
Numer produktu DigiKey	DMP4010SK3Q-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMP4010SK3Q-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMP4010SK3Q-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP4010SK3Q-13
Opis	MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 40 V 15A (Ta), 50A (Tc) 1,7W (Ta) Montaż powierzchniowy TO-252-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMP4010SK3Q-13 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	40 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	15A (Ta), 50A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	9,9mOhm przy 9,8A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	4234 pF @ 20 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,7W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-252-3
Obudowa / skrzynia	TO-252-3, DPAK (2 odpr. + wypust), SC-63
Bazowy numer produktu	DMP4010