Name: DMP21D0UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMP21D0UFB4-7BDITR-ND
Price: 1.9434 PLN
Availability: OutOfStock

DMP21D0UFB4-7B
Numer produktu DigiKey	DMP21D0UFB4-7BDITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMP21D0UFB4-7BDICT-ND - Taśma cięta (CT) DMP21D0UFB4-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMP21D0UFB4-7B
Opis	MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 770mA (Ta) 430mW (Ta) Montaż powierzchniowy X2-DFN1006-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMP21D0UFB4-7B Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	770mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	495mOhm przy 400mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.54 nC @ 8 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	80 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	430mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	X2-DFN1006-3
Obudowa / skrzynia	3-XFDFN
Bazowy numer produktu	DMP21

Cena jednostkowa bez VAT:	1,58000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	1,94340 zł

DMP21D0UFB4-7B