STP80NF55-08AG STMicroelectronics | Półprzewodniki dyskretne

STP80NF55-08AG jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

onsemi

W magazynie: 538

Cena jednostkowa : 14,53000 zł

Similar

IXYS

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 12,70000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP80NF55-08AG
Numer produktu DigiKey	497-17149-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STP80NF55-08AG
Opis	MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STP80NF55-08AG Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	STripFET™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	55 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	80A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	8mOhm przy 40A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	112 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3740 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	300W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	STP80