Name: DMN62D1LFDQ-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN62D1LFDQ-7TR-ND
Price: 2.214 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN62D1LFDQ-7
Numer produktu DigiKey	31-DMN62D1LFDQ-7TR-ND - Taśma i szpula (TR) 31-DMN62D1LFDQ-7CT-ND - Taśma cięta (CT) 31-DMN62D1LFDQ-7DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN62D1LFDQ-7
Opis	MOSFET N-CH 60V 400MA 3DFN T&R 3
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 400mA (Ta) 500mW Montaż powierzchniowy U-DFN1212-3 (typ C)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0.55 nC @ 4.5 V
Prod. Diodes Incorporated	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 36 pF @ 25 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 500mW
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 400mA (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4V	Obudowa dostawcy urządzenia U-DFN1212-3 (typ C)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2Ohm przy 100mA, 4V	Obudowa / skrzynia 3-PowerUDFN
Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 250µA	Bazowy numer produktu DMN62

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 37

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)