Name: DMN3035LWN-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3035LWN-7DITR-ND
Price: 3.6654 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN3035LWN-7
Numer produktu DigiKey	DMN3035LWN-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN3035LWN-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN3035LWN-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN3035LWN-7
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 5,5A 770mW Montaż powierzchniowy V-DFN3020-8 (typ N)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 250µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 9,9nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 399pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 770mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa / skrzynia 8-PowerVDFN
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 5,5A	Obudowa dostawcy urządzenia V-DFN3020-8 (typ N)
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 35mOhm przy 4,8A, 10V	Bazowy numer produktu DMN3035

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 1 707

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)