Name: DMN3024LSD-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN3024LSD-13DITR-ND
Price: 5.3382 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMN3024LSD-13
Numer produktu DigiKey	DMN3024LSD-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMN3024LSD-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMN3024LSD-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN3024LSD-13
Opis	MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 30V 6,8A 1,8W Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 12,9nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 608pF przy 15V
Status części Aktywny	Moc - maks. 1,8W
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SO
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6,8A	Bazowy numer produktu DMN3024
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 24mOhm przy 7A, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 35 464

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)