Name: DMN2991UFB4-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMN2991UFB4-7B-ND
Price: 1.2792 PLN
Availability: OutOfStock

DMN2991UFB4-7B
Numer produktu DigiKey	31-DMN2991UFB4-7B-ND
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMN2991UFB4-7B
Opis	MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 500mA (Ta) 360mW (Ta) Montaż powierzchniowy X2-DFN1006-3
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Zbiorcze
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	20 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	500mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	1,8V, 4,5V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	990mOhm przy 100mA, 4,5V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	0.28 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	14.6 pF @ 16 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	360mW (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	X2-DFN1006-3
Obudowa / skrzynia	3-XFDFN
Bazowy numer produktu	DMN2991

Cena jednostkowa bez VAT:	1,04000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	1,27920 zł

DMN2991UFB4-7B