Name: DMG4407SSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG4407SSS-13DITR-ND
Price: 4.182 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMG4407SSS-13
Numer produktu DigiKey	DMG4407SSS-13DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMG4407SSS-13DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMG4407SSS-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMG4407SSS-13
Opis	MOSFET P-CH 30V 9.9A 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 9,9A (Ta) 1,45W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SO
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMG4407SSS-13 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Diodes Incorporated
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9,9A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	11mOhm przy 12A, 20V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	20.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2246 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,45W (Ta)
Temperatura robocza	-50°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SO
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	DMG4407