Name: FDS6679AZ
Brand: onsemi
SKU: FDS6679AZTR-ND
Price: 7.0725 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

FDS6679AZ
Numer produktu DigiKey	FDS6679AZTR-ND - Taśma i szpula (TR) FDS6679AZCT-ND - Taśma cięta (CT) FDS6679AZDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	onsemi
Numer produktu producenta	FDS6679AZ
Opis	MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
Standardowy czas realizacji przez producenta	37 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 13A (Ta) 2,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	FDS6679AZ Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3V przy 250µA
Prod. onsemi	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 96 nC @ 10 V
Seria PowerTrench®	Vgs (maks.) ±25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 3845 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,5W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza -55°C - 155°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-SOIC
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 13A (Ta)	Obudowa / skrzynia 8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Bazowy numer produktu FDS6679
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 9,3mOhm przy 13A, 10V