Name: DMG1026UV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG1026UV-7DITR-ND
Price: 2.829 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

DMG1026UV-7
Numer produktu DigiKey	DMG1026UV-7DITR-ND - Taśma i szpula (TR) DMG1026UV-7DICT-ND - Taśma cięta (CT) DMG1026UV-7DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Diodes Incorporated
Numer produktu producenta	DMG1026UV-7
Opis	MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	MOSFET - układy 60V 410mA 580mW Montaż powierzchniowy SOT-563
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	DMG1026UV-7 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Układy tranzystorów FET, MOSFET	Vgs(th) (maks.) przy Id 1,8V przy 250µA
Producent Diodes Incorporated	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 0,45nC przy 10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 32pF przy 25V
Status części Aktywny	Moc - maks. 580mW
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Konfiguracja 2 kanały N (podwójne)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Charakterystyka FET Bramka poziomu logicznego	Obudowa / skrzynia SOT-563, SOT-666
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-563
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 410mA	Bazowy numer produktu DMG1026
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,8Ohm przy 500mA, 10V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 42 291

Zapas fabryczny: 30 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)