CDBJSC8650-G Comchip Technology | Półprzewodniki dyskretne

CDBJSC8650-G jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Bourns Inc.

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 12,40497 zł

Odpowiednik parametryczny

onsemi

W magazynie: 423

Cena jednostkowa : 10,47000 zł

Odpowiednik parametryczny

Infineon Technologies

W magazynie: 500

Cena jednostkowa : 13,83000 zł

Odpowiednik parametryczny

Panjit International Inc.

W magazynie: 1 995

Cena jednostkowa : 13,32000 zł

Odpowiednik parametryczny

onsemi

W magazynie: 27 243

Cena jednostkowa : 15,04000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Diody Prostowniki Diody pojedyncze
Prod.	Comchip Technology
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Technologia	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)	650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)	8A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If	1.7 V @ 8 A
Prędkość	Czas bez powrotu > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)	0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr	100 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F	560pF przy 0V, 1MHz
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220-2
Temperatura robocza - złącze	-55°C - 175°C
Bazowy numer produktu	CDBJSC8650