Diody 650 V 8A Otwór przelotowy PG-TO220-2-1
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IDH08G65C5XKSA2

Numer produktu DigiKey
448-IDH08G65C5XKSA2-ND
Producent
Infineon Technologies
Numer produktu producenta
IDH08G65C5XKSA2
Opis
DIODE SIL CARB 650V 8A PGTO2201
Standardowy czas realizacji przez producenta
61 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Diody 650 V 8A Otwór przelotowy PG-TO220-2-1
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
IDH08G65C5XKSA2 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Infineon Technologies
Seria
CoolSiC™+
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Technologia
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.)
650 V
Prąd - średni wyprostowany (Io)
8A
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If
1.7 V @ 8 A
Prędkość
Zerowy czas regeneracji > 500mA (Io)
Czas regeneracji wstecznej (trr)
0 ns
Prąd - wsteczny upływowy przy Vr
140 µA @ 650 V
Pojemność przy Vr, F
250pF przy 1V, 1MHz
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia
TO-220-2
Obudowa dostawcy urządzenia
PG-TO220-2-1
Temperatura robocza - złącze
-55°C - 175°C
Bazowy numer produktu
IDH08G65
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 137
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
113,54000 zł13,54 zł
506,84900 zł342,45 zł
1006,20030 zł620,03 zł
5005,06298 zł2 531,49 zł
1 0004,69768 zł4 697,68 zł
2 0004,45757 zł8 915,14 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:13,54000 zł
Cena jednostkowa z VAT:16,65420 zł