Odpowiednik parametryczny
Odpowiednik parametryczny
Odpowiednik parametryczny
Odpowiednik parametryczny



BSDH08G65E2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 118-BSDH08G65E2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | BSDH08G65E2 |
Opis | DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 27 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Diody 650 V 8A Otwór przelotowy TO-220-2 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Prędkość Zerowy czas regeneracji > 500mA (Io) |
Prod. | Czas regeneracji wstecznej (trr) 0 ns |
Seria | Prąd - wsteczny upływowy przy Vr 40 µA @ 650 V |
Opakowanie Rurka | Pojemność przy Vr, F 267pF przy 1V, 1MHz |
Status części Aktywny | Typ mocowania |
Technologia | Obudowa / skrzynia |
Napięcie - stałe wsteczne (VR) (maks.) 650 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220-2 |
Prąd - średni wyprostowany (Io) 8A | Temperatura robocza - złącze -55°C - 175°C |
Napięcie - przewodzenia (Vf) (maks.) przy If 1.7 V @ 8 A | Bazowy numer produktu |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| IDH08G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IDH08G65C5XKSA1-ND | 0,00000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| IDH08G65C5XKSA2 | Infineon Technologies | 77 | 448-IDH08G65C5XKSA2-ND | 14,33000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| PCDP0865G1_T0_00001 | Panjit International Inc. | 1 995 | 3757-PCDP0865G1_T0_00001-ND | 11,38000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| UJ3D06508TS | onsemi | 27 243 | 5556-UJ3D06508TS-ND | 17,38000 zł | Odpowiednik parametryczny |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 3 000 | 12,17043 zł | 36 511,29 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 12,17043 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 14,96963 zł |





