


AMTP65H150G4LSGB | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 5318-AMTP65H150G4LSGB-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | AMTP65H150G4LSGB |
Opis | GAN FET N-CH 650V 13A DFN8X8 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 13A (Tc) 52W (Tc) Montaż powierzchniowy 4-DFN (8x8) |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Zbiorcze | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 180mOhm przy 10A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 1V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 8.8 nC @ 6 V | |
Vgs (maks.) | ±18V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 760 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 52W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | 4-DFN (8x8) | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 151,85000 zł | 151,85 zł |
| 10 | 136,29100 zł | 1 362,91 zł |
| 100 | 111,66950 zł | 11 166,95 zł |
| 500 | 95,06220 zł | 47 531,10 zł |
| 1 000 | 80,17296 zł | 80 172,96 zł |
| 3 000 | 70,38905 zł | 211 167,15 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 151,85000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 186,77550 zł |







