Name: IGLR65R200D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND
Price: 12.0663 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IGLR65R200D2XUMA1
Numer produktu DigiKey	448-IGLR65R200D2XUMA1TR-ND - Taśma i szpula (TR) 448-IGLR65R200D2XUMA1CT-ND - Taśma cięta (CT) 448-IGLR65R200D2XUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Infineon Technologies
Numer produktu producenta	IGLR65R200D2XUMA1
Opis	IGLR65R200D2XUMA1
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 9,2A (Tc) 34W (Tc) Montaż powierzchniowy PG-TSON-8-8
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	IGLR65R200D2XUMA1 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Infineon Technologies
Seria	CoolGaN™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	GaNFET (azotek galu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	9,2A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	-
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,6V przy 710µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	1.26 nC @ 3 V
Vgs (maks.)	-10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	91 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	34W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PG-TSON-8-8
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN