Tranzystory IGBT

7 014 Wyniki
Promowani producenci
Image of Infineon Technology Logo
Image of onsemi logo
Image of STMicroelectronics color logo
Image of Littelfuse logo
Image of ROHM Semiconductor logo
Image of Renesas Electronics America logo

Tranzystory IGBT


Tranzystory IGBT (tranzystory bipolarne z izolowaną bramką) to wielowarstwowe urządzenia półprzewodnikowe z trzema zaciskami, które mogą obsługiwać wysokie natężenia prądu i charakteryzują się szybkością przełączania. Są one charakteryzowane przez: typ, napięcie przebicia kolektor-emiter, prąd kolektora, impulsowy prąd kolektora, VCE (ON), energię przełączania i ładunek bramki.