Tranzystor ACEPACK IGBT klasy motoryzacyjnej STGSH80HB65DAG
Urządzenie firmy STMicroelectronics łączy w sobie dwa tranzystory IGBT i diody w topologii półmostkowej
Urządzenie STGSH80HB65DAG firmy STMicroelectronics łączy w sobie dwa tranzystory IGBT i diody w topologii półmostkowej, umieszczone w bardzo kompaktowej, wytrzymałej i łatwej w użyciu obudowie do montażu powierzchniowego. Urządzenie to zalicza się do tranzystorów IGBT z serii HB, która została zoptymalizowana pod kątem komutacji miękkiej oraz strat przewodzenia i przełączania. Każdemu z przełączników towarzyszy dioda gasząca o niskim spadku napięcia w kierunku przewodzenia. Rezultatem jest produkt zaprojektowany specjalnie z myślą o maksymalnej sprawności do dowolnych układów rezonansowych i przełączania miękkiego.
- Kwalifikacja AQG 324
- Seria szybkich przełączników
- Maksymalna temperatura złącza: TJ = +175°C
- Niskie napięcie VCE(sat) = 1,7V (typ.) przy IC = 80A
- Zminimalizowany ogon prądowy
- Mały rozrzut parametrów
- Niski opór cieplny dzięki zastosowaniu podłoża DBC
- Dodatni współczynnik temperaturowy VCE(sat)
- Dioda antyrównoległa o płynnej i bardzo szybkiej regeneracji
- Znamionowa wytrzymałość izolacji: 3,4kVRMS/min.
STGSH80HB65DAG Automotive-Grade ACEPACK IGBT
| Obraz | Manufacturer Part Number | Opis | Konfiguracja | Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.) | Dostępna ilość | Cena | Wyświetl szczegóły | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ![]() | STGSH80HB65DAG | IGBT MOD 650V 83A 9-ACEPACK SMIT | Półmostek | 650 V | 189 - Immediate | $77.37 | Wyświetl szczegóły |



