Układy tranzystorów IGBT

Wyświetlanie

z 20

Nr kat. prod.	Ilość dostępna	Cena	Seria	Opakowanie	Status produktu	Typ IGBT	Konfiguracja	Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	Moc - maks.	Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	Prąd - graniczny kolektora (maks.)	Pojemność wejściowa (Cies) przy Vce	Wejście	Termistor NTC	Temperatura robocza	Typ mocowania	Obudowa / skrzynia	Obudowa dostawcy urządzenia
MMIX4G20N250 IGBT F BRIDGE 2500V 23A 24SMPD IXYS	301 W magazynie 400 Fabryka	1 : 426,60000 zł Rurka	-	Rurka	Aktywny	-	Pełen mostek	2500 V	23 A	100 W	3,1V przy 15V, 20A	10 µA	1.19 nF @ 15 V	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 24-SMD, 9 odprowadzeń	24-SMPD
MMIX4B22N300 IGBT TRANS 3000V 38A IXYS	54 W magazynie	1 : 349,06000 zł Rurka	BIMOSFET™	Rurka	Aktywny	-	Pełen mostek	3000 V	38 A	150 W	2,7V przy 15V, 22A	35 µA	2.2 nF @ 25 V	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 24-SMD, 9 odprowadzeń	24-SMPD
MMIX4B20N300 IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD IXYS	0 W magazynie Sprawdź czas realizacji	1 : 491,36000 zł Rurka	BIMOSFET™	Rurka	Aktywny	-	Pełen mostek	3000 V	34 A	150 W	3,2V przy 15V, 20A	-	-	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 24-SMD, 9 odprowadzeń	24-SMPD
STGSH50M120D TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, STMicroelectronics	0 W magazynie Sprawdź czas realizacji	1 : 83,62000 zł Taśma cięta (CT) 200 : 47,73750 zł Taśma i szpula (TR)	-	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Aktywny	-	Półmostek	1200 V	69 A	536 W	2,3V przy 15V, 50A	25 µA	3152 pF @ 25 V	Standard	Brak	-55°C - 175°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	9-PowerSMD	9-ACEPACK SMIT
FII30-06D IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5 IXYS	0 W magazynie	25 : 25,62840 zł Rurka	-	Rurka	Nieaktualne	NPT	Półmostek	600 V	30 A	100 W	2,4V przy 15V, 20A	600 µA	1.1 nF @ 25 V	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII40-06D IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5 IXYS	0 W magazynie	25 : 28,13680 zł Zbiorcze	-	Zbiorcze	Nieaktualne	NPT	Półmostek	600 V	40 A	125 W	2,2V przy 15V, 25A	600 µA	1.6 nF @ 25 V	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 W magazynie	Aktywny	-	Skrzynka	Aktywny	NPT	Półmostek	1700 V	18 A	140 W	6V przy 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1S IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 W magazynie	Aktywny	-	Skrzynka	Aktywny	NPT	Półmostek	1700 V	18 A	140 W	6V przy 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Brak	-	Otwór przelotowy	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII30-12E IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	-	Rurka	Nieaktualne	NPT	Półmostek	1200 V	33 A	150 W	2,9V przy 15V, 20A	200 µA	1.2 nF @ 25 V	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII50-12E IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5 IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	-	Rurka	Nieaktualne	NPT	Półmostek	1200 V	50 A	200 W	2,6V przy 15V, 30A	400 µA	2 nF @ 25 V	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
IXA20PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	-	Rurka	Nieaktualne	PT	Półmostek	1200 V	32 A	130 W	2,1V przy 15V, 15A	125 µA	-	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA20PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	-	Taśma i szpula (TR)	Nieaktualne	PT	Półmostek	1200 V	32 A	130 W	2,1V przy 15V, 15A	125 µA	-	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	-	Rurka	Nieaktualne	PT	Półmostek	1200 V	43 A	150 W	2,2V przy 15V, 25A	2.1 mA	-	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	-	Taśma i szpula (TR)	Nieaktualne	PT	Półmostek	1200 V	43 A	150 W	2,2V przy 15V, 25A	2.1 mA	-	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	-	Rurka	Nieaktualne	PT	Półmostek	1200 V	63 A	230 W	2,15V przy 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	-	Taśma i szpula (TR)	Nieaktualne	PT	Półmostek	1200 V	63 A	230 W	2,15V przy 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	ISOPLUS™	Rurka	Nieaktualne	PT	Półmostek	1200 V	63 A	230 W	2,15V przy 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	ISOPLUS™	Taśma i szpula (TR)	Nieaktualne	PT	Półmostek	1200 V	63 A	230 W	2,15V przy 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Montaż powierzchniowy	Moduł 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
FII24N170AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 W magazynie	Nieaktualne	-	Rurka	Nieaktualne	NPT	Półmostek	1700 V	18 A	140 W	6V przy 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Brak	-55°C - 150°C (TJ)	Otwór przelotowy	i4-Pac™-4, izolowane	ISOPLUS i4-PAC™
AOMU66464Q AOMU66464Q Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 W magazynie	Nieaktualne	-	Zbiorcze	Nieaktualne	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Wyświetlanie

z 20

Tranzystory bipolarne z izolowaną bramką (IGBT) są wysokosprawnymi, szybkoprzełączającymi, trójzaciskowymi półprzewodnikowymi urządzeniami mocy, używanymi zwykle w charakterze przełączników elektronicznych. Są one używane w zasilaczach przełączających w zastosowaniach dużej mocy, takich jak napędy o zmiennej częstotliwości (VFD), samochody elektryczne, pociągi, stateczniki oświetleniowe, klimatyzatory, a także wzmacniacze impulsowe w systemach audio oraz przemysłowych systemach sterowania. Układy IGBT zawierają wiele urządzeń w jednej obudowie, połączonych w konfiguracjach półmostka lub pełnego mostka.