Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
Tranzystory MOSFET dla 5G
Tranzystory MOSFET firmy Vishay przeznaczone dla infrastruktury mocy 5G stanowią rozwiązania zasilające do telekomunikacji o mocy dochodzącej do 6kW
Firma Vishay oferuje szeroką gamę tranzystorów mocy MOSFET w obudowach do montażu powierzchniowego przeznaczonych dla infrastruktury 5G, stacji bazowych oraz przetwarzania w chmurze i brzegowego. Zamknięte w obudowach PowerPAK® 10x12 i 8x8 tranzystory MOSFET typu super-junction z serii E charakteryzują się najlepszym w klasie współczynnikiem dobroci (FOM), natomiast seria EF ze zintegrowanymi szybkimi diodami podłożowymi zapewnia obniżony ładunek QRR oraz szybsze ładowanie i rozładowanie w zastosowaniach modulacji szerokości impulsu (PWM). Tranzystory MOSFET generacji V na średnie i niskie napięcie o ultraniskiej rezystancji w stanie włączenia w obudowach PowerPAK SO-8 oraz SO-8DC zoptymalizowano pod kątem zastosowań prostowania synchronicznego oraz zasilania redundantnego.
Charakterystyka
- Standardowe tranzystory MOSFET typu super-junction z serii E
- Najlepsze w klasie rozwiązania korekcji współczynnika mocy (PFC)
- Najniższy współczynnik dobroci (FOM)
- Tranzystory MOSFET typu super-junction z serii EF ze zintegrowanymi szybkimi diodami podłożowymi
- Szybka dioda podłożowa zapewnia nawet 10-krotną redukcję ładunku QRR w porównaniu ze standardowymi tranzystorami MOSFET z serii E w całym okresie użytkowania
- 2-krotne skrócenie czasu ładowania i rozładowania w porównaniu z konkurencją
- Zaprojektowane i opracowane pod kątem topologii płynnego przełączania, na przykład rezonansowych LLC
- Tranzystory MOSFET generacji V na średnie i niskie napięcie
- Opcje urządzeń od 80V do 150V
- Zoptymalizowana kombinacja parametrów RDS(ON), QG oraz COSS
Zastosowania
- Przetwarzanie brzegowe
- Przetwarzanie w chmurze
- Infrastruktura 5G
- Stacje bazowe 5G
- Routery 5G
- Zasilacze impulsowe (SMPS) prądu zmiennego/stałego
MOSFETs in 5G
| Obraz | Manufacturer Part Number | Opis | Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | Napięcie dren-źródło (Vdss) | Dostępna ilość | Cena | Wyświetl szczegóły | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | SIR510DP-T1-RE3 | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW | 31A (Ta), 126A (Tc) | 7,5V, 10V | 100 V | 186 - Immediate | $10.91 | Wyświetl szczegóły |
|  | SIHD6N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK | 5,4A (Tc) | 10V | 800 V | 1972 - Immediate | $10.47 | Wyświetl szczegóły |
|  | SIHG065N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC | 40A (Tc) | 10V | 600 V | 430 - Immediate | $31.00 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHG018N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 99A TO247AC | 99A (Tc) | 10V | 600 V | 735 - Immediate | $65.26 | Wyświetl szczegóły |
|  | SIHB11N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK | 8A (Tc) | 10V | 800 V | 894 - Immediate | $10.69 | Wyświetl szczegóły |
|  | SIHA186N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220 | 8,4A (Tc) | 10V | 600 V | 0 - Immediate | $14.05 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHB186N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK | 8,4A (Tc) | 10V | 600 V | 3274 - Immediate | $14.46 | Wyświetl szczegóły |
|  | SIHF15N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 | 15A (Tc) | 10V | 600 V | 725 - Immediate | $14.90 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHG186N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC | 8,4A (Tc) | 10V | 600 V | 32 - Immediate | $16.29 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHA11N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 12A TO220 | 12A (Tc) | 10V | 800 V | 1081 - Immediate | $16.51 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHA105N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 12A TO220 | 12A (Tc) | 10V | 600 V | 983 - Immediate | $17.90 | Wyświetl szczegóły |
|  | SIHF22N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | 21A (Tc) | 10V | 600 V | 1487 - Immediate | $18.15 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHG105N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC | 29A (Tc) | 10V | 600 V | 315 - Immediate | $19.11 | Wyświetl szczegóły |
|  | SIHP21N80AE-GE3 | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB | 17,4A (Tc) | 10V | 800 V | 0 - Immediate | $19.22 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHA125N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220 | 11A (Tc) | 10V | 600 V | 980 - Immediate | $19.40 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHB100N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK | 30A (Tc) | 10V | 600 V | 938 - Immediate | $21.52 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHG100N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 30A TO247AC | 30A (Tc) | 10V | 600 V | 347 - Immediate | $25.18 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHB065N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 40A D2PAK | 40A (Tc) | 10V | 600 V | 0 - Immediate | $22.22 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHF065N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 40A TO220 | 40A (Tc) | 10V | 600 V | 201 - Immediate | $29.24 | Wyświetl szczegóły |
| | SIHP052N60EF-GE3 | MOSFET EF SERIES TO-220AB | 48A (Tc) | 10V | 600 V | 916 - Immediate | $27.30 | Wyświetl szczegóły |
Published: 2022-12-08
Polska