Similar
Similar
Similar
Similar

SIHP21N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SIHP21N80AE-GE3-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SIHP21N80AE-GE3 |
Opis | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 24 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Otwór przelotowy TO-220AB |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Kategoria | Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA |
Prod. | Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 72 nC @ 10 V |
Seria | Vgs (maks.) ±30V |
Opakowanie Rurka | Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1388 pF @ 100 V |
Status części Aktywny | Straty mocy (maks.) 32W (Tc) |
Typ FET | Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ) |
Technologia | Typ mocowania Otwór przelotowy |
Napięcie dren-źródło (Vdss) 800 V | Obudowa dostawcy urządzenia TO-220AB |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | Obudowa / skrzynia |
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V | Bazowy numer produktu |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 235mOhm przy 11A, 10V |
| Numer katalogowy | Producent | Ilość dostępna | Numer produktu DigiKey | Cena jednostkowa | Rodzaj zamiennika |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP260N60E | onsemi | 190 | FCP260N60EOS-ND | 14,58000 zł | Similar |
| FCP290N80 | onsemi | 0 | FCP290N80OS-ND | 0,00000 zł | Similar |
| TK16E60W5,S1VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK16E60W5S1VX-ND | 18,53000 zł | Similar |
| TK17E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 92 | TK17E80WS1X-ND | 24,70000 zł | Similar |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 18,85000 zł | 18,85 zł |
| 50 | 9,82660 zł | 491,33 zł |
| 100 | 8,95580 zł | 895,58 zł |
| 500 | 7,43066 zł | 3 715,33 zł |
| 1 000 | 7,01104 zł | 7 011,04 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 18,85000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 23,18550 zł |



